飞兆半导体推出具备出色的共模抑制性能的全新超小型高速光耦合器系列

技术分类: 电源技术  模拟设计  | 2003-11-11

飞兆半导体公司推出全新高速晶体管光耦合器系列中首两款产品FODM452和FODM453,提供业界最佳的共模抑制 (CMR) 性能和最小的封装外形。新产品的独特共面结构使得其CMR性能比同类器件高出30%,而5脚微型扁平封装 (MFP) 则使其体积比常用的8脚SOIC封装光耦合器减小了35%。此外,FODM452和FODM453还具有其它性能优势,包括高带宽 (1Mb/s) 快速转换特性 (开关时间小于1us)。这些新型光耦合器具有先进的性能和微小封装尺寸,适用于线路接收器、CMOS-LSTTL-TTL输出接口、脉冲变压器替代产品,以及高带宽的模拟耦合设备。
  FODM452 和 FODM453包含一个高速晶体管光电检测器,与高效红外发光二极管耦合。与传统的光电晶体管检测器相比,该两款器件的光电二极管与晶体管的集电极相分离,因而大幅增加了带宽。通过在硅光电检测器上实施专有的屏蔽技术和采用共面封装结构,这些光耦合器能提供超卓的CMR性能。共面封装结构是将输入和输出引脚放置在同一个平面上的技术,而传统的上下式结构是将输入和输出引脚平行放置。共面封装方式可减少输入与输出引脚分隔区之间隔离
带的表面面积,从而降低输入至输出电容,该低电容便可降低噪声通过封装进行耦合的机会。
  飞兆半导体光电子集团战略市务经理John Constantino称:"面对今天的生产环境,降低不必要的电气噪声是一项越来越有挑战性的工作。飞兆半导体全新的高速光电耦合器具有出色的噪声抑制功能,能减少共模噪声可能引起的数据误差问题。"
  FODM452 和 FODM453已通过UL认证(VDE 和 CSA认证正在处理中),保证能在0 - 70°C的温度范围内正常工作。这些器件扩展了飞兆半导体的功率转换和隔离解决方案,包括开关稳压器、MOSFET、PWM控制器、LDO、整流器和二极管。
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