先进的半导体处理工艺使射频功率晶体管具备可满足WCDMA应用需要的独特特性。
在固态射频功率器件领域从业25年的飞利浦公司日前宣布在
LDMOS技术上取得重大突破，可降低3G蜂窝基站的复杂性和运营成本，同时大大增强性能和可靠性。采用飞利浦新型第4代LDMOS技术生产的射频功率晶体管与现有LDMOS器件相比，增益更大，运行效率更高。因此，射频功率放大器需要的增益级更少，运行能量消耗也更少。这些新型晶体管具备的优异线性功能(即使在高功率级别下)意味着它们能满足多载波WCDMA和GSM EDGE基站放大器的超低失真要求。
行业对3G蜂窝基础设施的推出期待已久，3G蜂窝基础设施也被看作在提供更为丰富的多媒体体验和为移动用户提供更先进数据服务方面的重要一步。使飞利浦LDMOS技术成为3G基础设施理想之选的这些特性，也使得LDMOS技术也适用于目前在全球各地推出的众多数字地面电视系统的发送器上。
飞利浦半导体LDMOS射频功率器件市场经理Rick Dumont说："第4代LDMOS技术的推出，使得射频功率放大器设计人员有更多的设计空间，更好地解决效率和线性折衷这一非常困难的问题。这些新器件
还可更容易地满足WCDMA等系统在电信行业所需的价位情况下对性能的要求，进一步增强我们作为主要蜂窝基础设施厂商LDMOS 射频功率器件领先供应商的地位。"
飞利浦新型 0.6 μm LDMOS技术使射频功率晶体管的性能达到一个新阶段，功率密度提高50%，WCDMA效率提高6-8%，功率增益与以前的0.8 μm相比，提高了2 dB。此外，与传统LDMOS器件相比，这些晶体管采用的双层金化和金线间连接专利使得其平均无故障时间(MTTF)提高8-10倍，或使得设计人员可在结点温度提高20度的情况下使用。
鉴于WCDMA功率放大器本身具有的低系统效率，这些特性可极大减低功耗和先进3G基站的散热问题，推动放大器从地面向天线杆的趋势发展。飞利浦第4代LDMOS晶体管的优异补偿线性特别适合多载波功率放大器(MCPA)和未来的数字预失真 (Digital Pre-Distortion)应用。
首个采用该突破性LDMOS的功率晶体管于今年4季度推出样品，明年第一季度开始量产。首个推出的器件是BF4G22-100 WCDMA 晶体管，增益为13.5 dB，增益平坦为0.1 dB (2110-2170 MHz)，输出功率为24W时的2载波WCDMA运行效率是26%，-40 dBc的ACPR和-36 dBc的IMD。在以上的运行条件下，以及IS95信号和CCDF的3dB压缩下，该晶体管的峰值输出功率超过150W。飞利浦的第4代LDMOS技术适用于所有的蜂窝频段，从800 MHz到2.2 GHz。飞利浦的LDMOS发展蓝图显示在未来发展中，还将充分利用公司0.18 μm主流CMOS生产工艺的先进生产能力。