EDN首页登录区

所有网页 EDN网页 eekoo

您现在的位置：首页 >  模拟设计 >  正文

新一代高性能晶体管

技术分类： 模拟设计  | 2003-06-12
EDN China

AMD公司的研发人员在实验室内成功开发一种高性能的晶体管，其性能比目前公认的高性能PMOS晶体管高30%，这种晶体管采用AMD专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅（SOI）技术。
　　在另一相关的研究中，AMD的研发人员利用金属栅成功开发一种受压（strained）硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高20至25%，为业界创下新的晶体管性能标准。网址：www.vlsisymposium.org。
推荐给好友【推荐给朋友】 【复制链接给MSN/QQ好友】
加载中

对文章的评论

剩余字数:  

浏览该文章的用户还看过...

  • 文 章

  • 论 坛

  • 博 客

  • 小 组

设计资源与分销

赞助商链接