国际整流器公司（IR）推出四款新型12V
HEXFET功率
MOSFET，这些经优化的器件适用于输入电压较低（一般为3.3V及5V）的负载点（POL）降压转换器。新MOSFET的电流处理性能比业界标准30V器件高出15%，最适用于电信及数据通信系统、台式电脑、服务器及游戏机内的负载点降压转换器。
全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802
N沟道MOSFET，以及IRF7910双N沟道MOSFET均经过优化，导通电阻及栅极电荷较低，使传导及开关损耗降至最低。网址：
www.irf.com.cn。
技术资源__2003年4月30日