些区域是在外界电压下作漂移(Drift)运动，故而相关的电阻称为RD。若要求
MOSFET的耐压高，就必须提高高阻层(对N沟道MOSFET来说，称N-层)的电阻率，但当外延层的电阻率提高时，RD也随之提高。这也是很少出现一千伏以上的高压MOSFET的原因。
(1) 降低沟道电阻
首先我们来看如何降低沟道电阻。前面已经提到，当前功率MOSFET发展的一个重要趋势就是把单个原胞的面积愈做愈小，原胞的密度愈做愈高，其原因就是为了降低沟道电阻。为什麽提高原胞的密度可降低沟道电阻呢? 从图一可以看出：HEXFET的电流在栅极下横向流过沟道。其电阻的大小和通过沟道时的截面有关。而这个截面随器件内原胞周界的增长而增大。当原胞密度增大时，在一定的面积内，围绕著所有原胞的总周界长度也迅速扩大，从而使沟道电阻得以下降。
IR公司1995年发展的第五代HEXFET，其原胞密度已比第三代大5倍。因此通过同样电流时的硅片面积有希望缩小到
原来的2/5。第五代的另一个特点是，其工艺大为简化，即从第三代的6块光刻板减为4 块，这样器件的制造成本就可能降低。当今世界上最流行的仍是IR的第三代和第五代，而第三代常用于较高电压的器件(如200-600伏)，而第五代常用于较低电压的器件(如30-250伏)。高密度结构在较低电压器件中显示更优越作用的原因是因为低压器件的体电阻RD较小，因而降低沟道电阻更易于显出效果。过去有多年工作经验的电子电力工作者，常对当前生产厂热中于发展低压器件不感兴趣或不可理解。这主要是电力电子技术的应用面已大大拓宽，一些低压应用已成为新技术发展中的关键。最典型的是电脑中
电源的需求。正在研究的是1伏甚至0.5伏的电源，同时必须迅速通过50或100安这样大的电流，这种要求对半导体器件是十分苛刻的。就像要求一个非常低压力的水源，瞬间流出大量的水一样。
为进一步增加原胞密度,也可以采用挖槽工艺。通常称为trench(沟槽) MOSFET。图三(a)将沟槽结构作了一个简单图示。沟槽结构的沟道是纵向的，所以其占有面积比横向沟道为小。从而可进一步增加原胞密度。有趣的是，最早做功率稍大的垂直型纵向MOSFET时，就是从挖槽工艺开始的，当初称为VVMOS，但由于工艺不成熟，因而只有当平面型的VDMOS出现後，才有了新一代的功率半导体器件的突破。在半导体器件的发展过程中，因为半导体工艺的迅速发展，或是一种新的应用要求，使一些过去认为不成熟的技术又重新有了发展，这种事例是相当普遍的。当前一统天下的纵向结构功率MOSFET，也有可能吸纳横向结构而为低压器件注入新的发展方向。
(2) 降低JFET电阻
为降低JFET电阻，很早就采用了一种工艺，即增加所夹沟道中的掺杂浓度，以求减小JFET的沟道电阻。
沟槽式结构也为降低JFET电阻带来好处。从上述图三(a)中也可以看出，原结构中的JFET在沟槽型结构中已经消失。这也就使其Rds(on)得以进一步下降。然而沟槽式的缺点是其工艺成本要比原平面型的结构较高。
(3) 降低漂移电阻
上面的讨论已涉及到如何降低沟道电阻RCH和JFET电阻RJ。现在剩下的是如何来减小芯片的体电阻RD。上面已经提到，当要求MOSFET工作于较高电压时，必需提高硅片的电阻率。在双极型晶体管中(晶闸管也一样)，有少数载流子注入基区来调节体内电阻，所以硅片电阻率的提高对内阻的增加影响较小。但MOSFET则不属于双极型晶体管，它依赖多数载流子导电，所以完全是以外延层的电阻率来决定其Rd。因而使MOSFET的Rds(on)与器件耐压有一个大概2.4到2.6次方的关系。即要求器件的耐压提高时，其Rds(on)必然有一个十分迅速的上升。这也是为什麽在600 伏以上常采用IGBT的原因。IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称，IGBT虽然结构与MOSFET相似，但却是一种双极型器件。它也是采用少数载流子的注入来降低其体电阻的。
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