飞利浦电子集团日前针对其0.18 μm CMOS18处理技术发布新款低电压低功率的
EEPROM产品，致力满足业界在智能卡应用以及消费、通信和汽车市场应用中对高储存量和高弹性的需求。
随着在智能卡上利用生物数据等新安全检测方法的推出，以及卡功能不断加强的发展趋势，智能卡上必须储存的讯息数量也与日俱增。同时，功耗必须保持在可控制范围内，尤其是非接触式智能卡应用，这个领域中卡只能从本地RF（射频）范围获得电能。
飞利浦新的字符可转换EEPROM技术提供了满足这些需求的高密度和低功耗，同时与公司现有的
嵌入式快闪储存技术完全兼容，以强化混合的Flash/EEPROM系统。
具有一个只有1.2 平方微米、比传统EEPROM小4倍的储存单元，飞利浦新的嵌入式储存技术在硅片上提供了多达2 Mbits (256 Kbytes)的EEPROM，完全符合智能卡应用的成本控制。
另一个影响应用中使用寿命和低成本的重要因素，是飞利浦已经成功地将非挥发性内存技术从0.18微米缩小至0.15微米，而且将移至0.13微米，并在将来进一步发展到100奈米以下。这款新的EEPROM具有移植到新一代CMO
S处理技术的能力，确保了客户之前投资的IP设计可以在将来重新使用，从而提供了一个向需求更高储存容量和多功能应用发展的低成本方式。
飞利浦最新EEPROM流程储存单分子采用了与其经过检验的晶体管NOR分子闪存技术类似的设计，该技术在编程和去除方面均采用Fowler-Nordheim电子信道以实现低功耗。主要的区别是，增加内存晶体管的闸区以增加电荷注入、对擦除分布和读取门限电压更严密的控制，以及在编程电压方面有一定的增加。这些设计上的改变使飞利浦在 Fowler-Nordheim信道装置上的字符擦除时间突破性地降低到1毫秒以内。与实现5平方微米典型分子尺寸的传统0.18微米EEPROM技术相比，飞利浦新的嵌入式EEPROM单元只有1.2平方微米－比业界传统的EEPROM技术小了4倍。
飞利浦新款CMOS18 EEPROM储存装置现在已可用在设计中，并可以得到所有公司CMOS18设计工具的支持，包括通过标准的JTAG接口进行内存检验的工具。