为了帮助设计人员缩减小手持式电子系统中DC/DC
变换器的体积，Siliconix公司已推出一种为用于
同步降压变换器而优化的P沟道功率
MOSFET。
用于同步降压变换器高压一侧的P沟道MOSFET，可以用低于电池电压的栅极驱动电压来导通。这就不需要使用额外的自举电路，从而简化了DC/DC变换器设计并缩小了其尺寸。
这种型号为Si3867DV的P沟道MOSFET是为了达到低开关损耗而优化的，能保证在高频下有效工作。该器件既具有很小的导通电阻，即0.051Ω，又具有很小的栅极电荷，即7nC，因而其导通电阻乘以栅极电荷这一优值(FOM)为 0.36，比仅次于它的市售P沟道MOSFET低28%。
这种-20V Si3867DV采用Littlefoot TSOP-6封装，适用于手机、SIP卡、PDA、数字相机与摄像机以及硬盘驱动器等终端产品中的小电流
降压型和倒相DC/DC变换器。
网址：
www.vishay.com