噪声与低噪声设计的探讨(上篇)

技术分类: 测试与测量  | 2004-05-06
Joshua Israelsohn,EDN技术编辑

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  参考文献
  1. Liu, Shih-Chii, J?rg Kramer, Giacomo Indiveri, Tobias Delbrück, and Rodney Douglas, Analog VLSI: Circuits and Principles, 2002, Bradford Books, MIT Press, pg 314.
  2. Gray, Paul R, and Robert G Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Third Edition, 1993, John
Wiley and Sons, pg 716.
  3. Israelsohn, Joshua, "Pour your own programmable analog," EDN, June 12, 2003, pg 38.
  4. Lundberg, Kent H, "Noise sources in bulk CMOS," http://web.mit.edu/klund/www/CMOSnoise.pdf.
  5. Johnson, John B, "The Schottky effect in low frequency circuits," Physical Review, July 1925, pg 71.

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  附文:随机和
  一个电路的噪声性能是由各种噪声源的均方根振幅联合确定的。假设各种噪声源是非相关的,则它们的和就是:公式
 
  由于某项噪声经常在 RMS 和中占据主导地位,通常在作噪声评估时,可以把该信号源的阻抗设为噪声背景。如果你的电路噪声主要来源是电阻器,那么可以将非电阻噪声源用等效的噪声电阻来表示,以进行快速的相互比较。例如,某放大器的输入噪声电压谱密度为 4 nV/ ,它可以代表的等效噪声电阻为大约 1 kΩ。在一个具有 50Ω 信号源的电路中,你可以马上确定:放大器噪声会在源阻抗的噪声中占主要地位。事实上,在本例中,忽略掉其它的噪声源,整体噪声谱密度只比放大器的噪声谱密度高出 01. nV/ 。你可以将这些噪声电阻直接加在一起:公式
  总噪声就是:公式
  使用上式中的数值代入,放大器的等效输入噪声电阻为 1 kΩ,源阻抗为 50Ω,则:公式
 

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