NS推出两款效率高达95%的迷你型DC/DC转换器

技术分类: 电源技术  | 2005-01-27
EDN China

美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出两款全新的迷你型高效率同步降压直流/直流转换器。这两款型号分别为 LM3670 及 LM3671 的芯片属该系列的两个最先推出的型号,都适用于便携式系统如无线手机、数字相机、MP3 播放机、个人数字助理、硬盘机、无线局域网以及其他体积小巧的低功率产品,其特点是可以提高这类便携式产品的效率以及缩小产品的体积。
  LM3670 及 LM3671 转换器芯片设有脉冲频率调制/脉冲宽度调制 (PFM/PWM) 两种可以自动切换的操作模式,能在负载的整个运行时间内提供最高的效率。由于 LM3670 及 LM3671 芯片设有同步整流功能,因此即使连续不断进行开关切换,也可确保效率高达 95%,而且用于典型应用时,其静态电流低至只有 16μA,达到世界先进的水平。这样低的静态电流有助大幅延长系统的待机时间,使电池寿命可以进一步延长。LM3670 及 LM3671 两款芯片产生的噪音极少,峰至峰输出电压纹波不会超过 5mV,因此最适合需要收发射频信号的便携式系统采用。此外,由于这两款芯片只需加设
一个小型的 2.2μH 电感器及两个 10μF 的输出电容器,而且采用小巧的 SOT-23 封装,因此有助缩小产品体积。
  美国国家半导体便携式电源管理产品部副总裁 Peter Henry 表示:「目前功能较多的便携式电子产品必须配备效率极高的电源管理系统,才可获得足够的供电,确保系统无论采用全速还是节能模式,都可充分发挥其性能。LM3670 及 LM3671 芯片便是专为满足这个要求而开发的电源管理产品,其特点是体积小巧,而且转换效率极高,可以大幅延长系统的待机时间,因此是目前最高性能的降压稳压器解决方案,最适合便携式产品电源管理系统采用。」
  美国国家半导体的全新 LM3671 及 LM3670 芯片的主要技术规格
  LM3671 芯片可以利用锂电池或 2.8 伏 (V) 至 5.5 伏的供电干线为低电压电路提供稳压电源,而且更确保负载电流可高达 600mA。由于 LM3671 芯片设有频率为 2MHz 的振荡器,因此系统只需另外加设三个极小的外接元件,其中包括一个 2.2μH 的电感器及两个 10μF 的电容器。此外,LM3671 芯片的输出电压准确度较高,而且输出电压的纹波较低,加上其瞬态响应极快,因此可以确保处理器能够以最高的 MIPS 速率操作。系统设计工程师只要登入美国国家半导体的 WEBENCH网页 ( http://www.national.com/cgi-bin/WebenchTemplatebase_pn=LM3671) 利用其中的网上设计工具,便可确保设计能充分发挥这样的性能。
  LM3671 芯片不但功能齐备,而且性能卓越,因此可以为便携式电子产品的数字核心电路及外围设备提供稳压电源。由于这款芯片可以在脉冲宽度调制低噪音模式及脉冲频率调制低电流模式之间自动切换,因此能以极高的效率为全部负载提供稳压电源。这款芯片若采用固定频率的脉冲宽度调制模式,可以提供 70mA 至 600mA 的负载电流;若负载电流较低,则可改用脉冲频率调制模式。电路负载较小或系统处于待机状态时,脉冲频率调制模式可将典型应用的静态电流调低至 16μA,这样有助延长电池寿命。若采用停机模式 (启动管脚已拉低),芯片便会关闭,使典型应用的耗电量降低至 0.1μA。
  LM3671 芯片有多种不同的输出电压可供选择,其中包括 3.3 伏、1.875 伏、1.8 伏、1.6 伏、 1.5 伏、1.375 伏、1.25 伏以及 1.2 伏。此外,这款芯片还有可调节电压版,让客户可以设定其他的电压输出。
  LM3670 芯片是 LM3671 芯片的低功率版本,最适用于需要提供较低输出电流的系统及设备。这款芯片的开关频率为 1MHz,可以提供高达 300mA 的负载电流。 LM3670 芯片需要另外加设一个极小的 10μH 电感器及两个 4.7μF 的电容器为其提供支持。系统设计工程师只要登入美国国家半导体的 WEBENCH网页 (http://www.national.com/cgi-bin/WebenchTemplate?base_pn=LM3670) 利用其中的网上设计工具,便可测试这个设计的卓越性能。
  LM3670 芯片有多种不同的输出电压可供选择,其中包括 1.8 伏、1.875 伏以及 1.5 伏。此外,这款芯片还有可调节电压版本,让客户可以设定其他的电压输出。
0
0
(请您对文章做出评价)
1】【2
加载中

对文章的评论

更多评论

剩余字数:  

相关在线研讨会

我要参加

Infineon低压OptiMOS3技术---功率密度的新基准

时间:2008-08-12 10:00:00-12:00:00
简介:本次研讨会将重点介绍:1、英飞凌最新OptiMOS3晶片技术的特点:对应一定电压和封装条件下最低的导通电阻和FoM (Rdson* Qg)值。2、它…

浏览该文章的用户还看过...

  • 文 章

  • 论 坛

  • 博 客

  • 小 组

设计资源与分销

  • 博客推荐

  • 论坛推荐

  • 在线研讨会