另外，在制作抗恶劣环境应用的
模拟IC方面有潜力的是SiC技术或金刚石技术，但远未成熟；在制作微波、毫米波模拟IC时宜采用GaAs或其它化合物半导体技术。在加工尺寸方面，高速模拟IC的典型加工尺寸将从现有的0.5mm发展到0.25～0.18mm。另外，混合集成(HIC)技术和多芯片模块集成(MCM)技术，是单片集成技术难以达到整机或系统要求时采用的补充集成技术，它们将是与单片技术同时并存的不可缺少的技术，在21世纪，它们必将同时发展。MEMS是平面集成技术不能实现系统集成而出现的三维结构式的新集成技术，这种技术可实现机械零件与微电子器件集成为一个整体系统的技术，这种技术已在模拟IC领域实现RF MEMS器件，如电容、电感、开关、谐振器、滤波器等，有望单片实现通信系统中收发射机射频前端系统，因而RF MEMS技术将是21世纪模拟IC领域的热点发展技术之一。
SoC(系统芯片)是IC技术的总体发展趋势，在21世纪，模拟IC系统中将会融入更多的数字功能电路，即将把更多的数字功能电路集成到模拟电路系统中，如在数据转换器中将集成微处理器、DSP、接口、I/O电路、存储器等功能电路，使模拟信息的数字化能由这种SoC模拟IC系统直接完成，预计SoC模拟IC系统将在21世纪普遍应用于人们生活中的每一个方面。
模拟IC种类繁多，其性能要求各不相同，一般高速放大器将继续向更高速度、更低噪声、更大动态范围等方向发展；一般数据转换
器将继续向更高速度、更高精度等方向发展；一般功率放大器将继续向更大功率、更高效率方向发展；低功耗电路特别是便携式设备应用电路将继续向更低功耗、更低电源电压方向发展。总之，随着系统或整机的发展，各类模拟IC将不断提高其综合性能水平以满足它们的性能需求，同时系统或整机的技术要求反过来又推动着模拟IC技术和性能水平的不断提高。
我国改革开放以来，信息产品制造业已经形成了一个比较完整的工业生产体系。面对21世纪的挑战，我国将继续采取大力支持信息产业发展的国策并营造更加良好的技术开发环境，给IC的发展带来了极好机遇。我们一定要抓住机遇，不断把我国的模拟IC技术推向新水平，为信息化社会的发展创建新功。