39SF020是SST公司最近推出的一种SuperFlash型的存储器芯片，属于SST公司平行闪速存储器(Parallel Flash Memories)系列产品中的多功能型闪速存储器(Multi-Purpose Flash)，采用单一+5V电源供电，可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。
与同容量的其他类型存储器相比，39SF系列闪速存储器具有明显的优点。39SF020的字节写入速度可达20μs，明显高于E2PROM型存储器。而价格又远低于同容量的非易失性静态存储器(NVSRAM)，芯片读写速度满足绝大多数场合，是一种性价比很高的存储器。
39SF020适用于需要程序在线写入或大容量、非易失性数据重复存储的场合，其基于Super Flash技术的CMOS电路设计可以在降低功耗的同时显著提高系统的稳定性。
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1 SST39SF020性能特点
1．1 SST39SF020的主要特性 (1)按256kB x 8b结构组织。
(2)单一十5V供电下的读写操作。
(3)高性能的使用寿命：读写操作可达100 000次，数据保存时间大于100年。
(4)低使用功耗：芯片选通条件下工作电流为10mA，非选通条件下工作电流为3μA。
(5)扇区擦除能力：4 kB空间为基本擦除单位。
(6)读取数据时间：45-70ns。
(7)地址和数据锁存功能。
(8)芯片擦除和写入时间：扇区擦除时间为18ms，芯片擦除时间为70ms，字节擦除时间为14μs，芯片整体重新写入时间为2s。
(9)具有内部擦除或写人操作完毕的状态标志位。
1．2 SST39SF020内部结构框图
图1为39SF020内部结构框图，其中A17一A0为地址线，CE#为芯片选通信号，OE#可作为读信号，WE#为写信号，DQ7～DQ0为数据线，可方便地与8位数据总线接口。图2为39SF020的外部管脚封装图。
2 SST39SF020读写操作和特定指令代码
SST39SF020闪速存储器的读写时序与一般存储器的读写时序相同，当OE#和CE#信号同时为低电平时，可对芯片进行读操作；当WE#和CE#信号同时为低电平时进行写操作。39SF02Q通过特定的指令代码可以完成字节、扇区或整体芯片的写入和擦除操作。表1为39SF020对应各种操作时的代码指令表(其中BA为待写入字节的地址，Data为字节写人数据，SAx为待擦除扇区地址，软件ID退出1和2的代码指令等效，XXH为寻址空间范围内的任意地址)。
3 SST39SF020应用子程序
SST39SF020在实际应用中需要调用特殊指令代码进行初始化设置，下面分别叙述各相应子程序。
3．1 字节写入程序
图3所示为向SST39SF020写入单一字节的程序流程。前3次送人固定指令代码，后面送人实际需要写入数据，等待标志完成位指示，完成写入字节操作(其中Data Polling为写入完毕的标志位)。