磁电机变频控制。从21世纪初，永磁电动机控制成为运动控制的一个新热点。
3. 功率半导体器件
从直流电机，到交流感应电机，乃至现在的永磁电机控制，电机驱动经历了晶闸管可控整流器，晶体管逆变器，晶闸管逆变器，绝缘栅双极晶体管（IGBT）逆变器的发展过程。往往一个驱动理论的出现
先于半导体器件并指导功率半导体的发展，半导体器件的进步，才使电机驱动新理论的实现成为可能。
从运动控制系统的发展趋势来看，在功率驱动装置中，低频的半导体器件──晶闸管在中小功率范围将被高频的全控器件──大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）代替，另外交流化发展，离不开功率器件的发展。图2给出了交流电机控制的原理框图。
虽然功率器件只有整个设备成本的20%~30%，但是整个系统的成本和性能受到功率器件的特性影响。一个设计工程师必须熟悉功率器件的特性，才能设计出高效、高可靠性、低成本、性能最优化的系统。有趣的是
电力电子的发展就是功率半导体器件的发展，微电子技术的进步极大地推动了功率器件材料、工艺、制造、封装、模型和模拟技术。
从下面的图3中，我们可以从几个方面看到，随著功率器件的发展和控制技术的进步，功率驱动部分是如何减小体积和提高驱动效率。
驱动电路输入部分（下图，EMI, PFC部分）由于采用了有源功率因数校正和集成技术，改善了用电器的质量和效率，同时减小了电容容量（同样功率条件下）。与传统的无源方案比较（上图），减小了体积，降低了成本，系统性能大幅提高。逆变部分采用第五代IGBT技术（NPT IGBT），减低了器件饱和压降，通态损耗下降，提高开关频率，开关损耗降低，可以使系统在更高的频率下运行，安全工作区为方形，可靠性提高。提高开关频率可以减小电机和电网的谐波。图4给出了NPT IGBT开关损耗和饱和压降的发展趋势。
在看逆变器的驱动，传统采用光耦的方式传递控制信号给高端IGBT。这种逆变驱动需要四路隔离电源，设计复杂、体积大、成本高、虽然光耦的隔离电压可以很高，但是光耦的一致性和温度特性较差，使整个系统的适用环境受到限制。随著逆变电路开关频率的提高，要求光耦的开关速度也要提高，这样光耦成本也大幅提高，使得其在某些对系统成本敏感的领域缺乏竞争力，如家电。高压集成驱动电路（HVIC）解决了这个问题。图5给出了HVIC驱动电路。
采用HVIC，整个逆变电路只需要单一电源，高端驱动采用自举供电方式，非常简单。与光耦方式比较，逆变驱动电路可以减少大约60%的器件使用数量。延迟时间非常小，上下通道时延一致，器件一致性高，在高频应用时，失真小，设计简单。全球有70%的小型电机驱动都采用IR公司的HVIC。HVIC的系列化使客户可以根据不同应用需要方便快捷的选择和使用。图6给出了IR公司HVIC系列产品。
IGBT, HVIC以及芯片封装技术的发展，实现了逆变驱动电路的集成化。智能功率模块（IPM）技术进一步实现了电机驱动系统的小型化，低成本，高效率和高可靠性。在一个模块内可以集成6个IGBT，6个快速续流二极管，1个3相逆变桥驱动集成电路，3个自举二极管，温度检测，6个栅极驱动电阻等。图7给出了PlugNDrive IPM逆变模块的电路图。随著技术的不断进步，新的功能模块将不断被研制出来。
4. 数字控制技术
在单片机出现之前，控制器匀采用模拟电路实现调节。电路复杂、调试困难、温度特性差。单片机代替模拟电路，简化了控制器，控制精度提高，并实现一些复杂的控制，但也只能对系统实现线性化控制，对系统的非线性控制需要大量运算，单片机资源明显不足。对于一些复杂运动控制，如伺服控制，需要位置控制，同时为了提高系统的鲁棒性，采用了多闭环，如电流闭环、速度闭环，及新型控制算法，如坐标变换、反变换、空间矢量控制，模糊控制、自适应控制，及至网络控制等要求。对控制器的要求越来越高，随之出现数字信号处理器（DSP），现场可编程门阵列逻辑器（FPGA），以及专用控制集成电路（ASIC），并且运算速度不断提高，可用资源不断扩大。微电子技术的进步，可以实现更加复杂的控制，同时专用集成电路的研制，又简化了系统的设计，使设计工程师脱离大量的软件设计，特别对应用工程师来讲，他们将把主要精力用于系统的构成和指标实现上，而不必设计电机驱动部分。可以使其产品以最快速度研发并投入市场。IR公司提出的iMOTION(智能运动控制)计划为用户提供了整体解决方案。IRMCK201就是世界上第一颗用于伺服控制的专用控制集成电路。它采用编码器反馈，具有电流闭环和速度闭环的正弦空间矢量控制。 &nb