对于DRAM供应商来说，2004年是一个不错的年头。来自市场调研公司iSuppli的调查报告显示，2004年全球DRAM芯片市场收入达到267亿美元，与去年同期相比增长56.2%。相对于前几年DRAM市场的大幅波动和剧烈震荡，2004年DRAM市场表现强劲，已经由买方市场转变为卖方市场。业界人士认为，促成这种变化的主要原因是DRAM供应商的产品
多元化战略。
多元化战略促使DRAM市场稳步发展。内存制造商传统的业务模式是尽可能地多生产DRAM以填满晶圆厂产能，不管市场状况。若要提高产能利用率，除了DRAM外别无其它产品，这也就是DRAM价格很容易在供给增加时大幅波动的原因。不过，现在情况有了改变，目前，内存厂商除可以生产标准DRAM产品，还可以生产NAND闪存、CMOS影像传感器和专用内存。这种灵活性一改DRAM供应商以前的被动。Micron公司移动存储器部门副总裁Jan du Preez 认为，NAND市场与DRAM市场十分相象，这就是为什么主要的DRAM制造商都要进入NAND市场的原因。同时，CMOS影像传感器也可以采用和DRAM类似的加工工艺。Micron公司影像部门营销总监F
arhad D. Rostamian说，DRAM工艺对漏电流控制严格，而漏电流的大小直接影响到暗电流的大小，响应产品的功耗。借助于在 DRAM生产方面成熟的技术和经验，采用和DRAM相似的加工工艺生产CMOS产品，可以很好的控制产品的功耗和尺寸。Micron在努力实现产品多元化的同时，失去DRAM市场第二的位置是其付出的代价。目前，Samsung、Hynix、Micron和Infineon四大DRAM供货商占据了DRAM市场大部分的市场份额。除Micron外，Hynix、Infineon等主要DRAM产品供应商也都在关注产品的多样化。正是由于这种结构性变化，DRAM市场不会再经历过去那种急剧衰退。但是，DRAM市场将继续面临周期性变化。
512M DDRⅡ成为2005年DRAM市场主流。虽然，DRAM市场2004年表现强劲，但由此引发的供应商大量投资生产以及激烈的价格竞争，使人们多少都猜测到2005年的存储器市场将面临萧条。据SIA 预计，2005年DRAM市场规模将下降14.7%。三星也指出，内存芯片2005年的需求量将比2004年下降30%。Gartner也认为DRAM市场在2005年将下滑。相比之下，iSuppli的预测似乎乐观一些，他们认为2005年的存储器市场将保持平稳发展。
面对并不乐观的市场前景，全球各大存储器供应商丝毫未曾懈怠，存储器市场的技术竞争愈来愈趋向“白热化”。对于2005年DRAM市场的技术发展趋势，Micron公司先进技术与策略营销执行总监Terry Lee认为，512M DDRⅡ将在2005年成为DRAM市场的主流，在高端服务器、台式机和笔记本电脑上都将得到采用，并且笔记本电脑内存需求强劲，将继续走高。同时，DDRⅡ和DDR在2005年将会在市场上展开竞争。与上一代产品相比，DDRⅡ密度更高，最高可达4Gb；由于改进了供电输送方式，功耗更低；采用FBGA封装，降低了输入电容；同时，采用芯片内终止技术，具有更宽的电压范围，减少母板成本。
在DDRⅡ性能提升的同时，封装测试和良品率成为影响DDRⅡ广泛应用的主要问题。通常，因为DDRⅡ
SDRAM的结构更复杂，其测试时间(400s~450s)比DDR SDRAM的测试时间(300s~350s)要长30%。而且，DDRⅡ使用细间距的BGA代替了DDR的SOP封装，这使得第二代产品的后端成本比第一代增加了20%。同时，为了降低成本，一线DRAM厂商已经或计划把工艺由目前的0.11μm转变为90nm。但90nm工艺的采用，会使DDR初期良品率不高，因而使2005年全年的整体DRAM产量受到限制。iSuppli预测，随着90nm产品的成品率在2006年开始改善，将使以位计算的产量每年增长60%，同时导致DRAM市场进入供应过剩状态。这将使DRAM销售额在2006年下降30%左右。
在改进工艺的同时，各大存储器厂商也都在致力于DRAM技术创新。例如，Micron公司独有的6F2技术进一步改善了DRAM产品的性能、降低了成本。传统DRAM单元的大小等于光刻特征尺寸的平方乘以系数8 (8F2)，而Micron压缩了该单元，使系数减小到6(6F2)。Terry Lee介绍，和竞争对手采用的8F2相比，采用6F2技术生产的产品具有更小的裸片尺寸，即每个记忆单元的大小从8F2减小到6F2。除了将裸片尺寸减小20%（这意味着更低的生产成本）外，较小的单元尺寸还能缩短存储器的信号线长度，降低电容并提高性能。
消费电子产品对DRAM技术的需求落后于PC市场。2005年，DRAM最大的消