东芝(Toshiba)公司日前宣布推出
光通量达到业界最高水平的新一代
白光LED——TL10W02-D。该产品可用于家庭或办公
照明、商店装饰内部照明，以及为液晶显示器(LCD)提供背光。
通过改善二极管芯片贴装技术、改进散热功能，并采用较低的抗热封装，TL10W02-D在500mA (2W)驱动电流下，光通量达到60流明。其内部反射结构的优化设计也增强了光照射的效率。
东芝公司预计将于7月开始交付TL10W02-D白光LED的样品，并于10月以100万件的初步月产量开始批量生产。
除TL10W02-D以外，东芝还发布了30流明的TL10W01-D，该产品预计将于7月开始批量生产。这两种新型发光二极管均采用紧凑的封装，并适用无铅回流焊接。
采用超组合技术，东芝功率MOSFET导通阻抗降低60%
日本东芝公司(Toshiba)日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻(RDSon)仅相当于传统的MOSFET的40%左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视
机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。
由于拥有垂直通道，超结合技术结构可以允许电流在硅衬底顺利流通，降低了导通电阻，突破了硅晶体理论极限。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，在同系列的东芝DTMOS设备，导通状态电阻可降低60%的电力消耗，并且与东芝传统的MOSFET相比，RDSon的闸极电荷(Qg)减少40%。因此，RDSon x Qg(a)最显著的特征就是其MOSFET性能指标(数值越低越好)仅是公司传统的MOSFET的四分之一。
随着这项最新技术的宣布，东芝公司把超结合技术结构与公司独创的深蚀刻技术开发的MOSFET (DTMOS)结合起来。这两项技术的结合在市场上还是首次应用。在采用这项技术的系列产品中第一个产品叫做TK15A60S，最高技术性能为：电流15安培、600伏特，电阻0.3欧姆，样品于2005年3月面世。