式中，IN=8mA，可以计算出 TN =7ms。
T="Tp"+T N="10ms" (5)
占空比的设计也是需要考虑的，当占空比提高后，整个IC及外接电路构成的电源效率都会提高。
但是又不能无限的提高，使之接近100％，这主要是变压器磁通的建立和恢复是有时间限制的。同时，长时间的导通，功率MOSFET容易烧坏。
3.2 偏置电路
该电路采用三管能隙基准电源，如图4所示。 T2的发射极电压如式(6)所示。由公式可知，利用等效热电压 Vt的正温度系数和Vbe 的负温度系数相互补偿，可使输出基准电压的温度系数接近为零 （由于T6和T2的Vbe相同，所以输出电压 Vref和T2发射极电压相同）。
3.3 PWM调制电路
由光耦管耦合过来的反应负载变化情况的信号首先经过一个7kHz的低通滤波器，然后送到PWM比较器和振荡器产生的锯齿波进行比较，从而实现脉宽调制。该低通滤波器的频率响应为
可作为设计参数使用。
3.4 过压保护，欠压锁定电路
设计的内部电路工作电压环境为7.5~8.6V，该电路如图5所示，由比较器C1，C2和电阻R1 、R2、R3、R 4组成。由于迟滞比较器的作用，当Vcc 处于7.5~8.6V时，IC正常运行。当Vcc >8.6V时，C1输出高电平，直接使放电NMOS管导通，进行放电。该NMOS管设计得比较大，这样可以迅速地放电，使IC及时地回到安全状态。若该 Vcc故障仍然存在，将用八分频计数器来计数。这个八分频计数器使得功率MOSFET关闭，电容将在8个连续周期内反复充放电，8个周期后，若故障排除，整个IC进入正常工作状态，功率MOSFET开通。这种设计可大大减少功率MOSFET的耗散功率。当内部工作电压Vcc<7.5V时，C1输出一低电平，关闭驱动，同时驱动高压启动电路，对外接10μF电容进行充电。同时，该低电平也送入计数器计数，这样便实现了自启动功能。一般说来Vcc <7.5V，是由负载短路或过载引起电源变压器的附加线圈输出电压失落，没有足够的电压对芯片供电所致。
3.5 热关断电路
热关断电路如图6所示。正常情况下T ＝25℃，Vz＝6.3V，V BE1＝0.75V，VBEH=0.65V，此时 VH = R3 ( Vz -VBE1) / (R2+R3)=0.43V< VBEH
故Q1不导通，从而Vout 为高电平。
故障状态，稳压管的温度系数为正，而晶体管的VBE 为负温度系数。设计的温度保护能力(当T＝150℃)为
同样计算可得VH(150℃)＝0.46V，这样Q 2 导通，Vout为低电平。此信号直接关断功率MOSFET。同时这个脉冲信号也输入到1/8分频器，做计数用。
3.6 高压启动电路
高压启动电路如图7所示，当IC上电后，整个IC处于建立工作环境的状态。VDMOS的栅极为高电平，则该管导通，Out端有充电电流。当 Vcc达到8.6V时，过压保护电路送来信号 Vstart为一低电平，使得P2导通，这样VDMOS截止。另外 R1的作用是充电电流过大时，使P1、Q1导通，使 VDMOS截止，起到保护作用。此充电电流能力设计值为3mA，超过该值，VDMOS就会截至。根据计算，整个IC建立工作环境所需的时间为40ms，与实际仿真结果相符。