基于CMOS工艺的数字步进衰减器的设计

技术分类: 模拟设计  | 2008-04-14
来源:Peregrine半导体公司 Ray Baker

  优化方法

  低RON和低关断电容COFF对于串联FET开关而言都是必不可少的。RON低意味着插入损耗小,但这也意味着需要使用COFF较大的大器件。但是高频工作环境却要求采用COFF很小的小器件,以便使串联阻抗和隔离度都很大。这种矛盾可通过采用能提供适当隔离度的最大器件来解决。例如,当步进值为1dB时,串联开关的隔离度为20dB就很好了。对于一个步进值为20dB的衰减单元而言,隔离度同样为20dB的串联开关,只有17dB为净变化,其余3dB则为误差。对于这点,有的工程师可能会说:“好吧,那就用更高的衰减值来补偿。”理论上这是可行的,但是在实践中,隔离度并不很具重复性,COFF只要有一点点变化,隔离度就会变化很大,因此必须确保对于每一个步进值都有合适的而非过大的隔离度。

  电压额定值是另一个可进行优化的地方。每一个串联开关都必须有一个与其衰减值成比例的最高工作电压,例如,衰减步进值小则入射电压下降幅度也较小。旁路开关则完全不同,试想一下零dB结构中的衰减器,所有衰减器都被旁路,每一个旁路开关都必须能承受满摆幅输入电压。

  无论是串联开关还是旁路开关,任何一个特定开关都是由一个、两个、三个或更多串联FET器件组成。因为多个串联FET可以分担入射电压以达到所需的压缩及截取点,所以预期的电压值决定了FET器件的具体个数。随着串联器件数量的增加,晶体管的尺寸必须同步增加,以保持RON及COFF的组合值不变。

  在最终DSA产品中,电阻阻值要略高于表1给出的值。每一个衰减器单元都在其设计值上增加了十分之几dB(每个衰减单元的插入损耗),以获得正确的净变化。最后,在旁路电阻旁边适当放上一些低值电容,就可解决其固有的高频性能问题。虽然这对回波损耗有轻微影响,但是可大大提高平整性和精确性。

  工艺概述

  PE4302及PE4304均为符合商业用途的数字步进衰减器,它们采用已取得专利权的在蓝宝石基底上实现超薄硅(UTSi)的技术制造而成。其几何尺寸目前为0.5微米,水平尺寸为0.25微米。在未来,采用UTSi技术的RF CMOS产品将挑战用GaAs及其它特殊材料制成的产品。表2列出了两种UTSi几何尺寸下的FT及FMAX值。

表2:UTSi性能与几何尺寸的关系。

UTSi性能与几何尺寸的关系

  蓝宝石基底有效消除了体积效应(基底电容),可提供出色的射频性能,并天生具有抗锁闭能力。采用这种绝缘基底制作出的大电阻和FET器件,几乎没有消耗功率及频率的旁路电容。此外,蓝宝石还为高精度、高衰减的DAS提供必要的隔离度。

  RF CMOS还意味着可以在单芯片中集成多种混合信号。这些可集成并可验证的模块包括数字逻辑、EEPROM及SRAM存储器、接口、线性、数据转换、高IP3(三阶截取点)混频器、低噪音PLL、VCO、放大器、电源管理以及高Q值无源射频。新DSA产品的具体性能包括较高的抗ESD能力、接近DC的高线性度、低插入损耗、串联及并联逻辑接口,以及专有的超低噪音负电压发生器,所有这些功能都集成在一个芯片上。

  更重要的是,高性能步进衰减器需要先进的射频开关,RON与COFF的乘积是射频开关一个度量指标。图4所描述的设计及工艺的快速发展使Peregrine公司的UTSi技术具有很强的竞争力。

UTSi (RON/COFF)技术的发展图

图4:UTSi (RON/COFF)技术的发展图。

  PE4302 的性能测量

  在-40℃到+85℃的温度范围内测出的PE4302典型插入损耗值如图5所示。这里假设将DSA模拟为一个串联电阻,并给DSA开关一个合理的近似值。

典型的插入损耗与温度之间的关系

图5:典型的插入损耗与温度之间的关系。

  使用下列等式:

公式

  插入损耗为1.5dB的DSA等效总串联电阻REQ约等于18Ω,它代表6个开关的电阻总和,平均每个开关的电阻约为3Ω,这个数字与CAD模型的结果一致。与目前其它商用DSA产品相比,这种插入损耗为1.5dB的产品性能在同行处于领先地位。

  图6显示了主要步进值下的1dB压缩点(P1dB)与频率的关系。这些数值代表实际的瞬时性能,一般总是高于+33dBm。

PE4302的1dB压缩点与频率的关系 

图6:PE4302的1dB压缩点与频率的关系。

  考虑连续工作时发热及可靠性方面的因素,产品数据表中的最大功率限制会被定得稍微低些。这种做法对于峰值与平均值相差很大的无线电波形而言是很重要的,同时也是表征高线性度的一个更好的指标。

  IP3几乎在每一种无线电及有线电视(CATV)应用中都是至关重要的。图7是不同器件(工作电压都为+3V)的IIP3(输入三阶截取点)值,可以看出某些产品的IIP3在低频时有所下降。在1GHz以上,大多数DSA确实都能达到市场需要的规格,但是许多DSA应用在10至300MHz频率的环境中,例如有线电视需要DSA从5MHz开始就具有高线性度。尽管这里提供的只是器件的采样数据,但是对于一般的砷化镓器件而言还是具有代表性的(请注意低端性能)。

IIP3的对比

图7:IIP3的对比(工作电压为3V,插入损耗为0dB)。

  回波损耗是另外一个重要参数。许多步进衰减器在无法容忍阻抗失配的混频器和滤波器的旁边工作,失配导致的反射波也会传输到相邻器件,并产生纹波、增益变化及其它问题。

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