13.56MHz的EMI标准
允许最大场强
·非接触IC卡标准
在13.56MHz ISO/IEC 14443标准中规定其PCD产生的场强在1.5A/m_7.5A/m之间。其应答器(PICC)的动作场强Hmin?.5A/m。在ISO/IEC 15693标准中规定为VCD产生的场强为115mA/m~7.5A/m,应答器(VICC)的动作场强Hmin?15m A/m。
·有关EMI标准
①FCC标准
FCC part 15.225规定RFID系统载波频率范围为13.56MHz±7kHz，载波场强为30m处10mV/m。
②EN300330(9kHz~25MHz)标准
EN300330标准规定了第一类发送器(指具有电感回路天线的发送器，天线由具有一个或几个线圈的绕组构成)的载波功率极限值。测量在H场具有最大值的方向和在自由空间进行。EN300330规定的极限值是42dBmA/m@10m。
几种标准的相互比较
我们对上面给出的几种标准进行一些变换并归一，然后再加以比较。
①ISO/IEC 14443标准
通常，近耦合IC卡系统的作用距离为小于10cm，而从前述可知此时Hmin?.5A/m，那么我们可以近似估计离天线0.1m(10cm)处的H场值为1.5A/m。一般，在非接触IC卡系统中，在距离l/2p(对于13.56MHz频率，l/2p=3.5m)内为近场，其衰减为60dB/十倍距离；大于l/2p的作用距离为远场，其衰减为20dB/十倍距离。因此，可估算出1m处的H场为1.5m A/m，而3.5m处H场较1米处H场的衰减值大约为60 log (3.5m/1m)=32dB。从3.5m至10m处，可以认为进入远场，此段衰减值为20log(10m/3.5m)=9dB。故10m处的dBmA值为20log1.5mA/m-32-9=22dBmA/m。
②ISO/IEC 15693标准
其作用距离约为50cm，设此时的Hmin= 115m A/m，对13.56MHz，近场范围为3.5m，则3.5m处的场强衰减为60log(3.5m/0.5m)=50.7dBmA。3.5m至10m为远场，衰减为20log (10m/3.5m)=9dBmA。因此10米处的dBmA值为：20log115mA/m-50.7dBuA-9dBmA=41dBmA
③FCC标准
30m为10m V/m，换算为dB值是80dBmV/m，再换算至10m，增加量为40log(30m/10m)=19dB。换算成dBmA/m为：H=80+19-51=48dBmA/m@10m。
将上面结果列于表1，则从表1可知，若H场是按RFID标准来设计，就可符合EMI的有关标准。
调制带宽及谐波发射
·ISO/IEC 14443的调制方式
在TYPE A中，PCD向PICC通信采用修正密勒码的100%ASK调制。其PICC向PCD通信采用的是曼彻斯特编码，并且用副载波调制后进行ASK调制。在TYPE B中，PCD向PICC通信采用NRZ码的ASK调制方式，PICC向PCD通信采用对NRZ码(106kbps)进行BPSK副载波调制(847kHz)，然后用ASK调制传送至PCD。
·ISO/IEC 19653
VCD向VICC通信时，远距离采用“256中取1”编码的10%的ASK。短距离时采用“4中取1”编码的100%ASK调制。VICC向VCD通信采用曼彻斯特编码，用副载波进行调制(可用ASK或移频键控FSK方式)，然后再用已调制副载波进行对载波的ASK调制。
从上述的通信模式可以看出，这些调制都需要调制带宽，因此要注意控制发射频谱。FCC规定谐波功率应限制比载波低50dB。
抑制EMI的措施
抑制EMI的措施可以从下面几个方面来考虑：
读写器射频前端电路设计
在读写器射频电路设计时，应考虑器件选型、PCB层数、大小、线路布局、布线、接地及地线配置、屏蔽、滤波等众多需要兼顾的问题。
例如，在读写器设计时，都需要有晶体振荡器，多数石英晶体振荡器(XO)并没有提供内在的EMI抑制措施，因此设计者采用屏蔽、滤波或特殊的印刷板布局技术来使产品通过EMI考核。但是，MAXIM公司的DS108X系列硅振荡器采用扩谱技术，可使其峰值EMI降低20dB以上，这为频率源的选择提供了新的思路。
在电感耦合式非接触IC卡系统的电路设计和调整中应注意下述方面：①天线回路参数应准确调谐在载波频率上。②对于末级功放采用D类放大器(低于135kHz)或E类放大器(13.56MHz)的系统，应仔细调整电路工作状态，减少寄生信号的产生。此时，天线回路的Q值对流过线圈的电流大小可起调节作用，应仔细调整其电流大小和通信带宽的关系。