SiGe半导体RF前端模块荣获《电子设计技术》杂志2008年度创新奖优秀产品奖

技术分类: 模拟设计  | 2008-11-07
EDN China

  SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 在竞争激烈的《电子设计技术》杂志2008年度创新奖中脱颖而出,SE2593A 在受欢迎的通信网络IC类别中获颁优秀产品奖。

  SE2593A是世界上集成度最高的射频 (RF) 前端模块,适用于Wi-Fi产品,达到甚至超越IEEE 802.11n规范的要求。

  SiGe半导体市场推广副总裁Alistair Manley评论获奖道:“我们很荣幸再次获得著名的《电子设计技术》行业大奖。SiGe半导体团队以功能丰富的SE2593A模块为荣,这款创新产品不但提供出色的高集成度和业界最佳的性能,而且功耗也更低。”

  是次比赛的产品由《电子设计技术》评审小组进行评定和挑选,这个小组由中国领先的OEM厂商、学术机构、大学和《电子设计技术》编辑委员会的专家和专业人士组成。《电子设计技术》的读者和注册用户都受邀投票选出共九个类别的优胜者。

  获奖的SE2593A带有2.4GHz 与5GHz的功率放大器与低噪声放大器、功率检测器、发射及接收开关、双工器以及相关匹配滤波电路,而且采用了微型岸面栅格阵列 (land grid array, LGA) 封装。它还包含了一个动态范围为15 dB 的集成式温度补偿功率检测器,在3:1的失配情况下误差小于1dB,可在严苛的环境条件和更长的距离范围下提供更高的数据传输率,符合现有的 802.11n 规范和最终批准的要求。SE2593A能够满足高速数据和视频分发等应用的要求。

  SE2593A是一个系统解决方案,所有 RF 端口均匹配 50 欧姆电阻,消除了与基带和天线功能连接接口相关的复杂问题,从而可省去外部的匹配部件,并简化集成和 PCB 布线。

  Manley 总结道:“SE2593A 是集成式双频带低噪声放大器 (LNA) 的最小型MIMO前端模块,由于无需外部 LNA,因此能减少系统材料清单的成本,并简化设计、测试和制造。SE2593A 赢得这项行业大奖,意味着获得中国工程社群的认可,这让 SiGe 半导体所有员工都感到非常高兴。”

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