式（1）和式（2）中，Kv为压控振荡器电调灵敏度（rad／sV）；Kd为比相器灵敏度，Kd＝VDD／2π，VDD是运放的工作电压（VDD＝5 V），Kd单位取V／rad；N为总分频次数；ξ为锁相环路的阻尼系数，ξ的合适取值范围是在0．5～1．0之间，通常选择最佳起始点ξ＝0．707；ωn为环路自然谐振角频率，ωn值的选择将直接影响环路滤波特性和捕捉时间，为了保证环路对噪声有较好的抑制，ωn应该远小于鉴相频率ωd，通常可按式（3）选择
ωn＝ωd／（30～1 000），（3）
当噪声来源于参考频率和分频器时，ωn可以选择得小些；当噪声来源于压控振荡器时，ωn可选择得大些。
具体计算如下：
Kd＝VDD／（2π）＝5／（2π）＝0．796 V／rad，
故：R1选用4．7 kΩ电阻，R2选用120 kΩ电阻。
变容管电调谐介质振荡器〔2～4〕如图3所示，把变容管通过微带线与介质振荡器耦合形成电调谐电路，调谐电压加在变容管两端，改变变容管结电容，就可以实现谐振频率的调整。
这种介质振荡器体积小、高稳定、低噪声，能够满足锁相环路的要求。
4 测试结果
经测试，本频率合成器具有较低的相位噪声，在偏离载频100 Hz、1 kHz、10 kHz时，相位噪声分别为－35dBC、－65 dBC、－85 dBC（见图4）。它的频率稳定度也很高，在－20℃～＋55℃范围内可以稳定在10－8以内。
5 结束语
本文将锁相环频率合成器专用芯片MC145152－2、变容管电调谐介质振荡器用于1 800 MHz频率合成器中，使该频率合成器具有较低的相位噪声、很高的频率稳定度。与传统频率合成器相比，性能有了很大的提高。该频率合成器在移动通信等领域将有着广泛的应用。
参考文献
1 何 强．一种先进的N分数锁相环频率合成器．电子工程师，2002（12）
2 中国集成电路大全编委会．微波集成电路．北京：国防工业出版社，1995
3 B S Virdee．Current Techniques for Tuning Dielectric Resonators．Microwave Journal，October 1998：130～1384 彭文峰，廖 佳，于小军．Ku波段高线性度DRO的设计．电子工程师，2002（12）