图2中的解决方案有两个明显缺点：
1，芯片工作在固定2倍升压模式，恒压输出，效率很低。
2．由于Torch和Flash模式下通过
LED灯电流较大，限流电阻需要使用0603或0805的封装，Flash Gate一般也要使用SOT23的封装。这不仅增加了电路面积，也增加方案成本。
一些改进的产品采用了分数电荷泵工作模式，稍微提高了一些转换效率，但依旧使用恒压输出，需要外置限流电阻和MOS开关，仍然无法克服上述缺点。
CP2130的新型闪光灯驱动方案
市场上一些专用的闪光灯驱动芯片可以很好的解决上述问题，但这类产品通常都是专为高达5
00mA甚至安培级电流的闪光灯应用而设计的，芯片价格很高，这使得很多客户不得不继续使用传统的解决方案。
启攀微电子（Chiphomer）针对
小电流闪光灯的应用现状，开发的新产品CP2130，给出了一种全新的闪光灯驱动方案，有效的解决了方案易用性和成本的矛盾。
CP2130是一种1倍，1.5倍自适应模式切换的电荷泵型LED驱动芯片，可支持多达5颗LED灯的应用，支持宽频率范围的PWM调光，驱动电流由ISET脚的RSET电阻设定，采用小体积（3mm x 3mm）的QFN16封装。基于Smart Mirror专利技术，可为各LED通道提供超精确电流匹配。驱动2.8inch LCD背光的典型应用方案见图3。
图3 CP2130背光驱动方案
CP2130特别设计的电流驱动结构同时可以满足小电流闪光灯的驱动需求。其可以保证提供持续输出150mA，峰值输出300mA的驱动能力，满足了目前大部分手机、MP4、PDA等产品的小电流闪光灯的驱动需求。典型应用图见图4。
图4 CP2130小电流闪光灯驱动方案
在图4方案中，EN信号作为芯片使能。当EN为低电平时，芯片进入Shutdown模式，漏电流极低。当EN为高电平时，芯片处于工作状态。GPIO-FLASH用于Torch和Flash模式的选择切换。
当GPIO_FLASH设定为高阻态（或者设定为输入端口时），ISET端电阻仅为RSET，此时设定在较小的驱动电流上，芯片工作在Torch模式。而当GPIO_FLASH输出低电平时，ISET端等效电阻为RADJ和RSET两电阻的并联，等效电阻值变小，此时设定在较大的驱动电流上，芯片进入Flash模式。可见，使用GPIO_FLASH的IO信号可方便的在Torch模式和Flash模式之间切换。
以80mA @ Torch，250mA @ Flash的典型应用为例，两电阻可按如下规则选择：当输出80mA时，5个输出并接，相当于每路输出16mA，通过公式1易得RSET为10KΩ； 当需要输出250mA时，相当于每路输出50mA，通过公式1易得等效RSET为3.1KΩ（实际RSET与RADJ的并联值）；此时，可推算出RADJ约4.5KΩ，取邻近的标称电阻即可。
也可以将GPIO_FLASH直接输出高电平来进入Torch模式，输出低电平进入Flash模式。此时IO控制比较简单，但要通过公式2来计算RSET与RADJ的电阻值，相对复杂一些。