FLASH的读写

技术分类: 微处理器与DSP  消费电子设计  | 2007-05-18
作者:lanzhucao

规范中,详细定义了如何利用NAND设备每个页中的冗余信息来实现上述功能。这个软件规范中,很重要的一个概念就是块的逻辑地址,它将在物理上可能不连续、不可靠的空间分配编号,为他们在逻辑空间上给系统文件提供一个连续可靠的存储空间。

3给出了SSFDC规范中逻辑地址的标注方法。在系统初始化的时候,驱动程序先将所有的块扫描一遍,读出他们所对应的逻辑地址,并把逻辑地址和虚拟地址的映射表建好。系统运行时,驱动程序通过查询映射表,找到需要访问的逻辑地址所对应的物理地址然后进行数据读写。     

 

 

 

 

 

 

                3 冗余字节定义

字节序号

内容

字节序号

内容

512

用户定义数据

520

256BECC校验和

513

521

514

522

515

523

块逻辑地址

516

数据状态

524

517

块状态

525

256BECC校验和

518

块逻辑地址1

526

519

527

 

4给出了块逻辑地址的存放格式,LA表示逻辑地址,P代表偶校验位。逻辑地址只有10bit,代表只有1024bit的寻址空间。而SSFDC规范将NAND设备分成了多个zone,每个zone 内有1024块,但这物理上的1024块映射到逻辑空间只有1000块,其他的24块就作为备份使用,当有坏块存在时,就可以以备份块将其替换。

4  逻辑地址格式

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

 

0

0

0

1

0

LA9

LA8

LA7

518   523字节

LA6

LA5

LA4

LA3

LA2

LA1

LA0

P

519   524字节

 

有了以上的软件规范,就可以对NAND设备写出较标准的ECC校验,并可以编写检测坏块、标记坏块、建立物理地址和逻辑地址的映射表的程序了。

 

static int NF_IsBadBlock(U32 block)             //检测坏块

{

    int i;

    unsigned int blockPage;

    U8 data;

   

    blockPage=(block<<5);       // For 2'nd cycle I/O[7:5]

   

    NF_nFCE_L();   

    NF_CMD(0x50);       // Spare array read command

    NF_ADDR(517&0xf);   // Read the mark of bad block in spare array(M addr="5") [q6] 

    NF_ADDR(blockPage&0xff);    // The mark of bad block is in 0 page

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);   // For block number A[24:17]

 &nbs

30
10
(请您对文章做出评价)
1】【2】【3】【4】【5】【6】【7】【8】【9】【10】【11】【12】【13】【14】【15】【16】【17】【18】【19】【20】【21
加载中

对文章的评论

更多评论

剩余字数:  

相关在线研讨会

我要参加

有机硅(Silicone)在通讯行业的应用

时间:2008-12-03  10:00:00--12:00:00
简介: 有机硅材料具有绝佳的绝缘性与耐化学性,能够对电路板以及电子模块进行持续保护,使其免受潮湿、震动、过热、腐蚀以及辐射的影响,… 马上参会

浏览该文章的用户还看过...

  • 文 章

  • 论 坛

  • 博 客

  • 小 组

  • 博客推荐

  • 论坛推荐

  • 在线研讨会