挑战功耗:低功耗ASIC设计技术

技术分类: EDA工具与服务  可编程器件  模拟设计  | 2007-08-23
Michael Santarini,EDN高级编辑

  即使你正在设计的ASICSoC并非面向低功耗应用,但你仍需要熟悉低功耗设计技术,因为最新一代硅工艺技术本身就易于泄漏功耗。
  要 点
  在 45nm节点,泄漏的功率占IC总功耗的60%。
  代工厂现在能提供多种库,每种库有多个管理电源的阈值电压。
  EDA业已经划分为支持相似功耗标准的两个阵营:UPF(统一功耗格式)和CPF(公共功耗格式)。
  时钟门控是最老式的技巧,而功率门控则正在快速成为低功耗设计中最热门的技术。


  截止不久以前,低功耗数字 IC 设计一直是专家或专业 IC 设计者的领地。但是,大多数 IC 设计工程师今后都必须学习各种低功耗设计技术,因为越来越多的 ASIC和SoC(单片系统)将采用 0.13mm及0.13mm以下工艺。在0.13mm工艺时,代工厂开始在硅工艺中采用新的技术和材料如低k介质和铜以便提高设计的性能。采用更小的工艺尺寸、可比例缩放的阈值以及不可比例缩放的电压,能制造出更小、更快的IC,但也带来了一个很麻烦的副作用:泄漏,或静态功耗。在90nm节点上,功率管理开始成为一个重要的考虑因素,而在65nm节点上,必须采用低功耗设计技术。

  Synopsys的Mike Keating认为:“随着技术节点的逐步升级,显然我们必须降低VDD(电源电压),因为存在着一种二次关系:功耗与 V2DD成正比。如果我们只是缩小器件尺寸,而没有减小VDD,那么每一代的功耗密度都会加倍。这是不允许的,因此我们就要降低VDD。”

  当半导体行业在以往几个节点上降低电源电压时,同时也降低了晶体管的阈值电压,阈值电压能将漏源电流保持在某一水平,使 IC 对其输出电容器充电,因而提高了这些节点下 IC 的性能。但是,当业界在每个节点进一步降低阈值电压时,也迫使增加了亚阈值泄漏。Keating说:“随着我们缩减工艺尺寸,现在的栅极氧化层厚度已经非常薄,栅极泄漏呈指数增长。有时,在65nm和45nm时,最终动态功耗等于亚阈值泄漏电流,也等于栅极泄漏电流。此时我们遇到了一个大麻烦,我们有三个因素:动态功耗、亚阈值泄漏电流和栅极泄漏电流,它们都精确地指向同一点。”

  过去,每次工艺节点尺寸减小时,总功耗密度都基本保持不变。但在 2005 年,ITRS(国际半导体技术路线图)公布了一项研究,结果表明,在65nm节点上,动态功耗密度和泄漏功耗将分别增加 1.43倍和2.5倍。在45nm节点上,ITRS 预计动态功耗和泄漏功耗密度将分别增加 2 倍和 6.5 倍。实际上,对采用高速 65nm工艺的设计来说,一半功率损失在泄漏上。业内很多人相信,在 45nm节点上,IC 将有多达 60% 的功率损失在泄漏上(图 1)。Keating 称:“不久前,我们对功耗的处理方法是简单地在硅片上做各种折衷。这种选择差不多没用了。这些设计技术不再是选项,而是一种需求。”

图1随着供应商推出更快晶体管和更低电压的工艺功率泄漏以指数方式增长


  为应对功率管理问题,电子界正在几个方面采用新的低功耗技术和材料(图 2)。晶圆厂推出了多阈值、多电压晶体管;SOI(绝缘硅)和低 k 材料;本体或反向偏置;以及铜金属和 SiGe(硅锗)基材。同时,芯片架构和软件设计者则通过智能的硬件/软件折衷应对低功耗问题。如实现感知功耗的操作系统,在设计系统中引入更多的冬眠模式以及更多可选许可的内存存取。IC 设计者也采用各种技术降低自己设计的功耗。最常用的低功耗设计技术包括多阈值设计、多电压设计、时钟门控、可感知功耗的内存以及功率门控。

图2业界正多方出击解决功耗问题


  Sequence Design 硅业务部门技术主管兼副总裁和总经理 Jerry Frenkil 指出,低功耗设计无非是如何减少这个功率方程中的一项或几项:动态功耗加泄漏功耗等于器件的总功耗。动态功耗是用户用一款器件完成预期目的时所消耗的功率,而泄漏功耗则是晶体管泄漏浪费的功率(图 3)。

图3低功耗设计无非是降低总功耗方程中的动态功耗或泄漏功耗


  Kurt Keutzer 是加州伯克利大学的一名教授,也是《Closing the Power Gap Between ASIC & Custom: Tools and Techniques for Low Power Design》(弥合 ASIC 与定制芯片之间的功率间隙:低功耗设计的工具与技术,参考文献1)的共同作者和编辑,该书于今年 6月的设计自动化大会期间上市。他认为,多年来,客户与电路设计者采用了多种技术来降低设计的功耗。但他指出,今天典型ASIC的功耗可能是采用同一代工艺技术定制IC功耗的3倍到7倍。他与该书的另一位作者 David Chinnery 估计,通过采用低功耗设计技术,用户可以将自己 ASIC 设计的能效提高两倍到三倍。Keutzer 说:“重要的结果是 ASIC 设计者们正在公开大量的节能方法。”

  但低功耗设计中不存在一种放之四海而皆准的方法。该书的另一位撰稿人 Frenkil 称:“针对功率方程的不同部分有很多技术和不同的方法。它们通常都有某种类型的开销。有些可能没有开销,其它则会影响你的面积,还有一些可能影响你的速度。关于低功耗设计的一个关键是了解你所面对的影响,以及如何处理它。”确实,用户将不得不把这些技术综合和匹配使用,才能得到适合自己的低功耗方法。
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