Intersil公司推出的高频6A吸入电流同步(sink synchronous)MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A可以满足具有低开关损耗、高效率，同时还具备故障保护、引脚兼容等诸多特性，可满足POL DC/DC转换器、高性能处理器的内核稳压器、大电流扁平型DC/DC转换器、高频和高效率VRM和VRD等需要较大电流的应用需求。
ISL6615采用同步整流降压式转换器拓扑结构，集成了数字或模拟多相PWM控制器，可以在4.5V～13.2V下驱动高低栅极，其驱动电压可以实现应用所需的包括栅极电荷和导通损耗之间平衡在内的灵活性的优化。
ISL6615还具有高阻抗状态的输入功能，与Intersil的多相PWM控制器一起使用可以控制操作暂停时出现的输出电压负瞬态。这个功能无需使用肖特基二极管，可以防止负载受到输出电压的破坏。
ISL6615增加了栅极驱动电流(UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A，LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A)，以及最理想的效率可调整栅极电压，支持高达1MHz的高开关频率，有助于缩短栅极电压上升/下降时间并降低传播延迟，这将最大限度地降低开关损耗并改善效率。
ISL6615和ISL6615A还支持9.6V和12V输入电压。此外，设计人员可以选择支持3.3V PWM信号(ISL6615)或5V PWM信号(ISL6615A)的器件型号。每个器件都有12V～5V的宽输入电压工作范围，所有器件都与Intersil的上一代ISL6594D引脚对引脚兼容。
为了给系统提供更高的安全保护，两款产品利用防止过充电的自举电容器、36V内部自举肖特基二极管、三态PWM输出安全输出级关断、满足上电顺序要求应用的三态PWM输入迟滞、预POR过压保护和VCC欠压保护等多种保护来实现这个目标。
ISL6615和ISL6615A还采用了同步整流桥双MOSFET驱动，具有先进的自适应零击穿死区时间控制（体二极管检测、LGATE检测、自动零RDS(on)导通偏移影响）；上电复位(POR)功能，以及多功能栅极驱动电压等特性。这些都有助于提高开关效率，而且无需重新设计电路板。此外，两款器件还采用了有利于更好散热的可扩展底部铜焊点，以及符合RoHS要求的双扁平无铅封装(DFN)，其接近芯片级封装的占位面积可提高PCB效率，降低板外高度。