飞兆半导体推出简化设计并提高效率的Green FPSTM功率开关

技术分类: 电源技术  模拟设计  | 2007-11-09
EDN China

  飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 的高集成度绿色Green FPS功率开关FSFR2100能够在电信电源、高端音频放大器、大型激光打印机和LCD及PDP TV电源等谐振转换器设计中,提高效率和系统可靠性,并缩短宝贵的设计时间。该功率开关提供“系统级封装 (system-in-a-package)”方法,集成了所有必需元件以构建可靠及高效的的谐振转换器,并在高热效的9-SIP封装中集成了一个脉冲频率调制 (PFM) 控制器,一个高压栅极驱动电路和两个快速恢复MOSFET (FRFET®),以及软启动、间歇工作模式和重要的保护功能。

  FSFR2100采用零电压开关 (ZVS) 技术,能够大幅降低MOSFET和整流器的开关损耗。采用这种技术,此FPS开关无需散热器即可处理高达200W的功率,使用散热器更可处理高达450W的功率。较之于传统的硬开关转换器拓扑,FSFR2100的效率提高了10%,当用于PDP-TV等应用时效率更高达97%。ZVS技术的一个附加优势是能显著降低开关噪声,与硬开关技术相比至少降低5dB。通过间歇工作模式,FSFR

2100能将待机功耗减小至1W以下,轻易满足业界的1W倡议要求。

  FSFR2100的主要优势:

  易于设计

  在单一封装中集成了两个带有快速恢复体二极管的功率MOSFET、一个上桥栅极驱动电路、一个精确电流控制振荡器、一个频率限制电路,以及软启动功能和内置保护功能

  系统效率

  较之于硬开关转换器拓扑,ZVS技术将功效提高了10%,达到97%。并减小EMI至少5dB

  间歇工作模式将功耗降至1W以下

  系统可靠性

  内置上桥驱动电路采用共模噪声消除技术,提供卓越的噪声抗干扰能力

  MOSFET的快速恢复体二极管最大限度地减小反向恢复效应,防止出现异常运作状态

  内置保护功能包括过压保护 (OVP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (OCP), 以及异常过流保护 (AOCP) 和内部过热关断 (TSD) 等

  随着FSFR2100添加到飞兆半导体广泛的功率开关产品系列中,飞兆半导体现拥有从1W到450W全面精选的集成式功率解决方案,为小型电池充电器到大型平板电视的SMPS设计提供高能效及高空间效率的解决方案。

  FSFR2100采用无铅 (Pb-free) 端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。

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