许多开关型电源用“按键上电”电路使其脱机运转初始化。这些电路简单的由电阻（如 International Rectifier公司的IRIS4015）实现，复杂的由双极晶体管或MOSFET实现（参考文献1）。这些晶体管为反激变换器或PFC（功率因数校正）IC提供初始电流。当这些电源用正常模式开始工作时，专用线圈的电压持续给PFC芯片供电，从而减小了激励上电电路的功耗。
这类方案能够减少激励上电电路的功耗，但不能彻底消除，因为有源器件通常是高压双极晶体管或高压增强型MOSFET。这些晶体管的基极或栅极，相对于正常工作的射极或源极应该为正向偏压。因此，电源损耗一般发生在使晶体管保持断开状态的电路中。不幸的是，工程师极少关注耗尽型MOSFET，其正常工作中不需要正向偏压，且栅极电压需低于源极。耗尽型MOSFET的这些优势使其充当电源在激励上电电路中无消耗的角色。
图1显示了常用PFC电路，它的IC最初通过Supertex 公司的DN2470，即耗尽型MOSFET Q2，接收输出端能量（参考文献2）。根据IC模型，Q2的源极向PFC的IC1提供约10mA ~ 15mA或更少的初始电流。短时间能量消耗约4W ~ 6W，不会对焊接到铜覆的MOSFET造成损害。如果担心MOSFET的安全，可以使用Ixys公司的IXTY02N50D（参考文献3）。电阻R3和R4建立Q2的工作点，达到所需的最小电流。对18V输入电压，齐纳二极管D5通过IC1限制电压到约15V，这通常对大多数PFC IC是必要的，且小于MOSFET Q2的最大值。
参考文献
1.“IRIS4015(K) Integrated Switcher,” Data Sheet No. PD60190-C, International Rectifier, www.irf.com/product-info/datasheets/data/iris4015.pdf.
2.“DN2470 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET,” Supertex Inc., www.supertex.com/pdf/datasheets/DN2470.pdf.
3. “High Voltage MOSFET: IXTP 02N50D, IXTU 02N50D, IXTY 02N50D,” Ixys, http://ixdev.ixys.com/DataSheet/98861.pdf.