LED的基本结构
LED的制作过程与制作矽晶圆IC很相似，首先使用化学周期表中超高纯度的III族元素——铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)，以及V族元素——氮(N)、磷(P)、砷(As)为材
料，在高温下反应成为化合物，经过单晶生长技术，制成单晶棒，经过切割、研磨、抛光成为
晶片，再将其作为基板(substrate)，使用磊晶技术将发光材料生长在基板上，制成的磊晶片经过半导体镀金和蚀刻工艺後，通过细切加工成LED晶粒。
值得注意的是，除了大家常见的可见光外，LED还有不可见光，如“紫外光”与“红外光”等，例如电视遥控器就是一种红外光应用，其波长约为900nm，而紫外光则因为具有杀菌功能，所以被广泛应用在医疗用途上。
LED主要向大功率和小体积两个方向发展
(1)提高发光强度及发光效率
作为指示灯方面的应用，有几个mcd的发光强度也可以了，但由LED组成的数码管或字元管则显得亮度不足，若要用於户外作信号或标显示，则其亮度太低，不能满足使用的要求。所以LED的主要发展方向是提高发光强度(也就是一般所指的提高亮度)。
InGaAlP和nGaN LED晶片发光效率的演变。其中，a为InGaN蓝光LED，b为InGaN绿光LED
随著半导体材料及半导体工艺技术、设备的发展，LED的亮度不断提高，开发出高亮度及超高亮度LED，并且不断创造新记录。以Φ5标准封装、发红光、视角差别不大的LED为例，不同生产年份LED的发光强度如表1所示。
表1 不同生产年份LED的发光强度比较
从表1可以看出，近30年LED的发光强度提高了8000倍左右。1969-1987年LED的发光强度是很低的，发展很慢，但1994-2005年LED的亮度有很大的发展。表1列出的并非发光强度最高的。例如，在GaAs的衬底上采用AlInGaP工艺技术制成的Φ5、红光LED，在小视角4°、50mA工作电流时，其典型发光强度为20000mcd。
以GaAs为衬底的LED结构
LED另一个重要性能指标是发光效率η，用lm/W来表达。各年份生产的LED发光效率如表2所示。从表2可以看出，这30多年来，LED的发光效率提高了250倍以上。1970-1990年LED发光效率提高较慢，1990-2005年则提高较快。例如，Cree公司生产的1W白光LED XL7090WHT，其发光效率可达60lm/W。
表2不同生产年份LED的发光效率比较
