1 引言
闪速存储器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等许多优点，广泛应用于通讯设备、办公设备、家用电器、医疗设备等领域。利用其保存信息的非易失性和在线更新数据参数的特性，可将其作为具有一定灵活性的只读存储器（ROM）使用。
现在的数字电路应用系统设计中，经常遇到大容量的数据存储问题。Flash由于容量大、存储速度快、体积小、功耗低等诸多优点，而成为应用系统中数据存储器件的首选。由于在研制实时信号处理系统时，需要一块大容量的Flash来存储坐标变换的数据作查找表，因此面临一个如何对Flash进行编程，将数据写入Flash的问题。由于我们选用的Flash芯片为SST39SF010/020，是最新生产的型号，需要自己开发编程器来满足设计需要，达到既经济又实用的目的。这一型号的Flash采用的是标准的5V电压供电，器件在命令控制下自己产生内部的
擦除电压Vpp，从而完成数据的写入和芯片的擦除等各种功能。而
FPGA这种大规模的可编程器件十分适合逻辑电路的设计，能方便地控制和产生 Flash编程操作中的各种控制命令，实现编程器的功能。
2 Flash的性能参数和操作时序
以最新的Flash芯片型号SST39SF010/020为例，容量为1/2Mbit（×8）。 它的主要性能有：
● 单一的5.0V电压读写操作；
● 高可靠性，超过100年的数据保持能力；
● 快速擦除和字节编程功能
——扇区擦除时间典型值只需7ms；
——片擦除时间典型值只需15ms；
——字节编程需时间典型值只需20微秒；
——片重写时间需3ms（SST39SF010）
● 片内部产生Vpp编程电压，实现自动读写时序；
● I/O兼容TTL；
各引脚功能：
Ams～A0：地址输入 ——提供存储器地址；
DQ7～DQ0：数据输入/输出 ——在读时序时输出数据，在写时序时接收输入的数据；
CE#：片选使能——当CE#为低电平有效；
OE#：输出使能——选通输出缓存器；
WE#：写使能——控制写时序；
VDD：接5V电源；
VSS：接地。
在对Flash进行编程操作前，必须保证存储单元为空。如果不为空，就必须先对Flash芯片进行擦除操作。由于Flash采用了模块分区的阵列结构，使得各个存储模块既可以整个芯片一齐被擦除，还可以使各个存储模块被独立的分别擦除。只需在地址和数据端写入不同的操作命令即可实现不同的擦除操作。
SST39SF010的编程操作分三步骤：第一步是连续载入三字节命令的软件数据保护操作，第