汽车用串行FRAM存储器
Ramtron International Corporation推出一款64Kb串行FRAM FM25640-GA,该产品可在-40℃~+125℃整个汽车温度范围内正常运作。FM25640-GA由8192×8位非易失性RAM构成,工作电压为5V,具有高速串行外设接口(SPI),可提高FRAM技术的高速写入能力,符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,适合于引擎罩下及乘客舱内的汽车应用。在+125℃时可保证数据保存9000小时,在55℃时数据可保存17年,当中还包括一个先进的硬件与软件写入保护方案,避免意外的写入与数据损坏。采用符合RoHS标准的8脚SOIC封装。
网址:www.ramtron.com
高密度容量GDDR3内存模块 奇梦达公司推出新的1Gb GDDR3内存模块,以支持图形显示应用领域不断扩大的帧缓冲区趋势。1Gb产品是同时需要高容量和低颗粒数的笔记本应用的理想选择。此外,256Mb、512Mb和1Gb这三款GDDR3产品都进行了升级,使其具有更优的I/O性能。256Mb和1Gb产品现在的速率最高可达1Gb/s,而51
2Mb产品的数据速率最高达到1.2Gb/s。
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采用双I/O引脚的32Mb串口闪存 意法半导体推出一个新的32Mb串口闪存芯片M25PX32,可擦除存储段和子存储段,具有双输入输出引脚。M25PX32采用0.11μm制造工艺,在2.7V~3.6V电源电压和-40℃~85℃的工业温度范围内,支持75MHz的时钟频率。双输入输出也具有很重要的意义:在快速读取操作期间,双输出命令允许系统把数据传输带宽提高一倍,把
NOR闪存的时钟频率锁定在相当于150MHz的频率上。同样,当进行快速编程操作时,在整个电压范围内,输入输出两个引脚都可用于存储器编程。除器件安全功能外,M25PX32还提供一个附加的64位用户锁保护功能、一次性可编程存储单元(OTP)和存储器只读设置。M25PX32采用S08W、5mm×6mm的MLP8超薄封装和SO16W封装。
网址:www.st.com
在MediaTek参考设计平台上完成预先验证的NOR闪存 Spansion推出其MirrorBit NOR闪存,并已完成在MediaTek主流手机参考设计平台上的预先验证,使生产商能够将具有成本效益的高性能手机更快地推向中国及其它高速增长市场。Spansion的MirrorBit NOR和ORNAND存储解决方案是通过单一平台进行高性能的代码执行及数据存储,这使OEM厂商能够调整其产品供应,涵盖从基本的、入门级手机到非常高端的、功能强大的手机。
网址:www.spansion.com