F-RAM产品系列中的2Mb存储器件
RAMtron推出2Mb并行非易失性存储器FM21L16。器件采用44脚TSOP-II封装，工作电压为2.7V～3.6V，工作温度范围为-40℃～+85℃，具有访问速度快、无写等待、无限次读/写和低功耗等特点，与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容。FM21L16是128k×16非易失性F-RAM存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作。FM21L16的存取时间为60ns，周期为110ns，内置写保护功能，以避免意外的写操作及数据损坏。FM21L16是标准异步SRAM的直接替代产品，而无须电池进行数据备份，可表面贴装，不需要提供附加电池的重写入操作，且抗潮湿、冲击和振动。FM21L16具备高速页面模式，能够实现80MB/s的峰值带宽，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5mA。
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采用0.13mm SONOS工艺的4Mb nvSRAM 赛普拉斯半导体公司推出了4Mb非易失性静态随机存储器(nvSRAM)产品。该器件的特色包括15ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循
环，以及20年的数据保留期。4Mb nvSRAM产品采用赛普拉斯S8 0.13mm SONOS(硅氮氧化物硅)嵌入式非易失性存储器技术，实现了更高的密度，缩短了存取时间并提高了性能，配置包括512Kb×8(CY14B104L)或256Kb×16(CY14B104N)。这些器件均符合RoHS标准，并能够直接取代SRAM、带备用电池的SRAM、EPROM和E2PROM器件，在无需电池的情况下提供了可靠的非易失数据存储能力。从SRAM向该器件非易失性单元的数据传输操作会在供电断开时自动执行。在供电恢复时，数据从非易失存储器恢复至SRAM。这两种操作功能也可以在软件控制下实现。
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