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谐振电路升压转换器可降低超便携式应用开关损耗
最近，为了降低无源元件的尺寸并获得快速动态响应，驱动频率已被提高至MHz的数量级。但驱动频率越高，开关损耗就越大。随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通损耗。特别是由于功率器件是在最高.... In-Hwan Oh博士，飞兆半导体公司系统电源部
http://article.ednchina.com/2006-08/200686101825.htm 2006-08-06

用数字荧光示波器对功率损耗进行高精度分析
随着许多行业对开关电源需求的不断增长，测量和分析下一代开关电源的功率损耗就显得至关重要，本文介绍了如何利用TDS500O系列数字荧光示波器，加上TDSPWR2功率测量软件进行功率损耗分析新型的开关电源.... 来源：今日电子/Hans-Peter Fleischeuer
http://article.ednchina.com/2006-07/2006721094842.htm 2006-07-21

瑞萨发布业界最低损耗汽车音响电源集成电路
瑞萨科技公司发布了R2S25404SP汽车音响电源集成电路，它可满足当前DVD播放等功能日益增长的需求。由于该产品产生的热量很低，可以不使用体积庞大的散热器。批量生产将于2006年2月在日本开始。R2.... EDN China
http://article.ednchina.com/2005-11/20051129101147.htm 2005-11-29

测试DWDM组件的损耗和色散
介绍目前，DWDM是实现经济高效的数据传输最理想的光纤选择。移植到更高速的网络、采用更窄的信道间隔，或同时采取上述2种方法均可以满足不断增长的带宽需求。随着网络过渡到10Gbps甚至更高带宽，仅测试光.... Thomas Jensen；Oliver Funke；Ulrich Wageman，安捷伦科技
http://article.ednchina.com/2003-10/AtcShow2005127172837.htm 2003-10-24

无源光器件的偏振相关损耗测量
介绍描述无源光器件的特性时，偏振相关损耗（PDL）现已成为一项标准指标。当前主要有两种PDL测量方法：偏振扫描法和四状态法，后者一般也被称作Mueller法。本文将对这两种测量方法进行简要的介绍，概要.... Gunnar Stolze，安捷伦科技
http://article.ednchina.com/2003-10/AtcShow2005127172851.htm 2003-10-24

无RSENSE的电子断路器降低功率损耗
凌特公司（LinearTechnology）推出采用外部MOSFET的RDS(ON)检测负载电流的电子断路器LTC4213，从而去除了对检测电阻的需求。这种新方法不仅降低了开关通路上的电压和功率损耗，.... EDN China
http://article.ednchina.com/2005-4/AtcShow2005428104302.htm 2005-04-28

大电流、低损耗负载开关
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出11个新型IntelliMAX大电流(高达400mA)、低损耗(典型RDS(ON)=0.120Ω)负载开关。IntelliMAX广泛的.... EDN China
http://article.ednchina.com/2005-6/AtcShow2005629202016.htm 2005-06-29

声表滤波器在传输频带下介入损耗为0.8dB
随着GPS和其它智能功能的引入，移动电话正变得越来越复杂，GPS功能由于具有能够提供个人安全方面的优点，已经成为北美市场上3G手机的必需配置了。当然，在日本、中国和其他亚洲国家对GPS手机的需求预期也.... EDN China
http://article.ednchina.com/2005-5/AtcShow2005531190707.htm 2005-06-01

可降低功率损耗的无R_SENSE电子断路器
凌特公司（LinearTechnology）推出采用外部MOSFET的RDS(ON)检测负载电流的电子断路器LTC4213，LTC4213工作在2.3V~6V的偏置电源电压范围，并监视从地到6V的电压.... EDN China
http://article.ednchina.com/2005-5/AtcShow2005531213621.htm 2005-06-01

可使通态损耗降至1.5V的12A标准三端双向可控硅开关管
飞兆半导体公司的FKPF12N60型和FKPF12N80型两种600V/800V12A标准三端双向可控硅开关管均采用先进的平面硅结构。它们在di/dt为50A/μS、（dv/dt）C为10V/μS和（.... EDN China
http://article.ednchina.com/2003-5/AtcShow2005127111221.htm 2003-05-30

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