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飞思卡尔推出高功率LDMOS 晶体管 具备出色射频性能
- 随着能源价格的不断上涨，广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求，飞思卡尔半导体推出超高效的射频功率晶体管。这款MRF6P3300H晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压（HV6.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-12/2005121103709.htm 2005-12-01
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飞思卡尔推出超高效的高功率LDMOS射频 晶体管
- 随着能源价格的不断上涨，广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求，飞思卡尔半导体（NYSE：FSL，FSL.B）推出超高效的射频功率晶体管。这种晶体管能为数字和模拟电视广播应.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-4/AtcShow200542295030.htm 2005-04-22
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飞思卡尔推出第一款超模压塑料封装的2GHz大功率RF 晶体管
- 飞思卡尔半导体日前宣布推出业内第一款封装在超模压塑料封装内、性能堪与气腔封装媲美的2GHz大功率RF晶体管。这些先进的设备基于飞思卡尔的高压第七代（HV7）RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2006-06/2006616120006.htm 2006-06-16
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飞思卡尔扩大WiMAX基站的射频功率 晶体管的选择范围
- 近期，凭借第七代高压（HV7）射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2006-02/200626114452.htm 2006-02-06
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飞思卡尔半导体推出50伏横向扩散RF功率 晶体管
- 飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHFTV广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Industry/20080417040028.htm 2008-04-17
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飞利浦推出具备集成负载转换功能的 晶体管
- 飞利浦电子公司推出最新系列的低VCEsat(BISS)负载转换设备，使设计工程师在节约45%以上主板空间的同时，能够减少组件数量，并降低系统成本。新推出的BISS负载转换系列（PBLS系列）结合了飞利....
- http://article.ednchina.com/2003-12/AtcShow2005127181454.htm 2003-12-23
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飞兆半导体推出具有业界最小外形尺寸封装的高集成度数字 晶体管
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列，在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PN.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Other/20070412075135.htm 2007-04-12
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采用双极型 晶体管的直流250mV转换器
- 该转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。如何实现这种可能性呢?VBE的阈值并不是确定的，它....
- http://article.ednchina.com/Analog/20080823104407.htm 2008-08-23
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采用SOT23封装的功率 晶体管
- ZETEX推出采用SOT23封装的双极晶体管系列。SOT23器件的面积仅为2.5mm×3.05mm，首批产品包括六款微型器件，NPN及PNP晶体管各占三款，它们的额定电压分别为50V、60V.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-12/2005121031232.htm 2005-12-01
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