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超低动态功耗的无电容器双晶体管RAM
- 瑞萨科技开发出可以实现高速运行和具有低功耗能力的高密度无电容器双晶体管RAM（TTRAM）。该存储器设计将可以采用65nm和随后的硅绝缘体（SOI）CMOS半导体工艺，将快速、高密度存储功能嵌入到具有.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-12/2005121024613.htm 2005-12-01
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瑞萨开发无电容器双晶体管RAM 动态功耗仅为148mW
- 瑞萨科技公司宣布，该公司已开发出可以实现高速运行和具有低功耗能力的高密度无电容器双晶体管RAM（TTRAM）。来自瑞萨的研究人员于9月20日在美国加利福尼亚圣何塞举行的2005年IEEE定制集成电路会.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-10/2005108092516.htm 2005-10-08
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海力士半导体DRAM产品获得ISi的Z-RAM存储技术授权
- Z-RAM高密度存储知识产权(IP)开发商InnovativeSiliconInc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司今日宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi....
- http://article.ednchina.com/memory/20070815102742.htm 2007-08-15
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提供240 kBits嵌入式RAM的FPGA
- Altera公司在其低成本CycloneIIFPGA系列中引入了新成员EP2C15A。这一新的Altera器件提供240kBits嵌入式RAM和14,448个逻辑单元，与以前的型号相比，具有更高的存储.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2006-09/200697071235.htm 2006-09-07
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恒忆推出低价低功耗 DDR 接口非挥发性 RAM 产品
- 恒忆(Numonyx)宣布推出VelocityLPTMNV-RAM产品系列，此系列是业界低功耗双倍数据传输速率(LPDDR)非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比.... EDN China
- http://article.ednchina.com/CE/20080729020924.htm 2008-07-29
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奇梦达被选为Xbox360的首选图形RAM供应商
- 内存产品供应商奇梦达宣布，该公司已入围微软首选供应商名单，为微软Xbox360™视频游戏与娱乐控制台提供图形RAM。奇梦达将成为微软Xbox360最主要的512MbitGDDR3RAM供应....
- http://article.ednchina.com/2006-06/2006614111522.htm 2006-06-14
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奇梦达被选为Xbox360的首选图形RAM供应商
- 内存产品供应商奇梦达宣布，该公司已入围微软首选供应商名单，为微软Xbox360™视频游戏与娱乐控制台提供图形RAM。奇梦达将成为微软Xbox360最主要的512MbitGDDR3RAM供应....
- http://article.ednchina.com/2006-06/2006614111527.htm 2006-06-14
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奇梦达被选为Xbox360的首选图形RAM供应商
- 奇梦达宣布，该公司已入围微软首选供应商名单，为微软Xbox360™视频游戏与娱乐控制台提供图形RAM。奇梦达将成为微软Xbox360最主要的512MbitGDDR3RAM供应商之一。“尖端....
- http://article.ednchina.com/2006-06/2006614045816.htm 2006-06-14
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