-
飞思卡尔推出四组输出集成 MOSFET器件MC34700
- 随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件，空间在电源|稳压器供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助开发人员设计紧凑电源，飞思卡尔半导体在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Industry/20080425101257.htm 2008-04-25
-
飞利浦推出高性能汽车TrenchMOS MOSFET
- 飞利浦电子公司宣布扩展其汽车电源解决方案，正式推出采用飞利浦无损耗封装（LFPAK）的高性能汽车（HPA）TrenchMOSMOSFET。以上设备结合了飞利浦在汽车领域的经验和TrenchMOS技术，....
- http://article.ednchina.com/2004-9/AtcShow2005128105418.htm 2004-09-21
-
飞利浦扩展LFPAK封装的功率 MOSFET系列
- 飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列，推出创新性的SOT669无损封装（LFPAK）。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计，具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点，可用于众多新应.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2003-7/AtcShow2005127124713.htm 2003-07-31
-
飞兆半导体采用CSP封装的P沟道 MOSFET
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1x1.5x0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。F.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Analog/20081106104346.htm 2008-11-06
-
飞兆半导体的高电压SuperFET MOSFET产品获奖
- 《电子设计应用》杂志是中国领先的电子设计出版刊物之一，该杂志日前举行了2004年度电源产品奖颁奖典礼，向飞兆半导体颁发了"最佳功率元器件大奖"。这个颁奖典礼于2005年5月25日在北京举行，并与第二届.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-6/AtcShow200562112843.htm 2005-06-02
-
飞兆半导体的 MOSFET技术降低Miller电荷达35-40%
- 飞兆半导体公司宣布其性能先进的PowerTrench?MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg)，并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率，在同....
- http://article.ednchina.com/2004-6/AtcShow200512893637.htm 2004-06-15
-
飞兆半导体推出首款含低电流IC和P沟道 MOSFET的智能电源开关
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出FDC6901L全新独特的智能电源开关，集成了先进的Trench技术P沟道MOSFET和转换速率控制IC，提供出色的热性能和电性能.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2003-7/AtcShow2005127124638.htm 2003-07-31
2345678910>>Next >Total , Page /
2008 Reed Business Information .
Privacy Policy 京ICP许可证：041565号