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飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出采用1x1.5x0.4mmWL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。F.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Analog/20081106104346.htm 2008-11-06
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飞兆半导体推出首款含低电流IC和P沟道MOSFET的智能电源开关
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出FDC6901L全新独特的智能电源开关，集成了先进的Trench技术P沟道MOSFET和转换速率控制IC，提供出色的热性能和电性能.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2003-7/AtcShow2005127124638.htm 2003-07-31
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飞兆半导体推出首款包含低电流IC和P沟道MOSFET的智能电源开关集成电路
- 飞兆半导体公司7月22日宣布推出FDC6901L全新独特的智能电源开关，集成了先进的Trench技术P沟道MOSFET和转换速率控制IC，提供出色的热性能和电性能，同时免除了额外封装和多个无源元件的需....
- http://article.ednchina.com/2003-7/AtcShow2005127124318.htm 2003-07-29
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飞兆半导体推出封装最小的P沟道MOSFET器件
- 飞兆半导体公司推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Power/20061205100111.htm 2006-12-05
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飞兆半导体推出BGA封装低电压P沟道MOSFET
- 飞兆半导体公司推出P沟道MOSFET--FDZ299P，在超小型的1.5X1.5mmBGA(球栅阵列)封装内采用高性能的PowerTrench?技术，比同级设备现时使用标准的SSOT-6或TSSOP-....
- http://article.ednchina.com/2003-6/AtcShow2005127121731.htm 2003-06-11
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飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET
- 飞兆半导体公司推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Analog/20080218094544.htm 2008-02-18
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飞兆半导体推出 200V/250V N沟道MOSFET
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用.... EDN China
- http://article.ednchina.com/Power/20070312070710.htm 2007-03-12
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飞兆1200V NPT沟道IGBT针对电磁加热提供高效抗雪崩能力
- 飞兆半导体公司的FGA25N120ANTD1200VNPT沟道IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-10/20051020095612.htm 2005-10-20
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电磁加热用1200V NPT沟道IGBT
- 飞兆半导体公司的FGA25N120ANTD1200VNPT沟道IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD.... EDN China
- http://article.ednchina.com/2005-12/2005121033347.htm 2005-12-01
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